欢迎访问斯普仑网站
24小时电话: 0755-83299149 / 0755-83299149
制造商：GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
封装外壳：8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）
描述：128MBIT NOR FLASH /3.3V /SOP8 20
斯普仑电子元件现货为您提供GigaDevice Semiconductor (HK) Limited设计生产的GD25Q128ESIGR，现有足量库存。GD25Q128ESIGR的封装/规格参数为:8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）；同时斯普仑现货为您提供GD25Q128ESIGR数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有GD25Q128ESIGR的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供GigaDevice Semiconductor (HK) Limited设计生产的GD25Q128ESIGR，现有足量库存。GD25Q128ESIGR的封装/规格参数为:8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）；同时斯普仑现货为您提供GD25Q128ESIGR数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有GD25Q128ESIGR的详细使用方法及教程。
| GD25Q128ESIGR产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商 | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| 制造商零件编号 | GD25Q128ESIGR |
| 描述 | 128MBIT NOR FLASH /3.3V /SOP8 20 |
| 库存 | 2211 |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） , 剪切带（CT） |
| 存储器类型 | 非易失 |
| 存储器格式 | 闪存 |
| 技术 | FLASH - NOR |
| 存储容量 | 128Mb（16M x 8） |
| 存储器接口 | SPI - 四 I/O |
| 时钟频率 | 133 MHz |
| 写周期时间 - 字，页 | 70µs，2.4ms |
| 访问时间 | 7 ns |
| 电压 - 供电 | 2.7V ~ 3.6V |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
