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制造商：Micron Technology Inc.
封装外壳：132-VBGA
描述：IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
斯普仑电子元件现货为您提供Micron Technology Inc.设计生产的MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A TR，现有足量库存。MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A TR的封装/规格参数为:132-VBGA；同时斯普仑现货为您提供MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A TR数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A TR的详细使用方法及教程。
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| MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A TR产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商 | Micron Technology Inc. |
| 制造商零件编号 | MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A TR |
| 描述 | IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA |
| 库存 | 2764 |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） |
| 存储器类型 | 非易失 |
| 存储器格式 | 闪存 |
| 技术 | FLASH - NAND（TLC） |
| 存储容量 | 512Gb（64G x 8） |
| 存储器接口 | 并联 |
| 时钟频率 | 333 MHz |
| 写周期时间 - 字，页 | - |
| 访问时间 | - |
| 电压 - 供电 | 2.5V ~ 3.6V |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 132-VBGA |
| 供应商器件封装 | 132-VBGA（12x18） |
