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制造商：Micron Technology Inc.
封装外壳：200-WFBGA
描述：IC DRAM 16GBIT 1866MHZ 200WFBGA
斯普仑电子元件现货为您提供Micron Technology Inc.设计生产的MT53B512M32D2DS-053 AAT:E，现有足量库存。MT53B512M32D2DS-053 AAT:E的封装/规格参数为:200-WFBGA；同时斯普仑现货为您提供MT53B512M32D2DS-053 AAT:E数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有MT53B512M32D2DS-053 AAT:E的详细使用方法及教程。
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| MT53B512M32D2DS-053 AAT:E产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商 | Micron Technology Inc. |
| 制造商零件编号 | MT53B512M32D2DS-053 AAT:E |
| 描述 | IC DRAM 16GBIT 1866MHZ 200WFBGA |
| 库存 | 1324 |
| 系列 | Automotive, AEC-Q100 |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | 易失 |
| 存储器格式 | DRAM |
| 技术 | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| 存储容量 | 16Gb（512M x 32） |
| 存储器接口 | - |
| 时钟频率 | 1.866 GHz |
| 写周期时间 - 字，页 | - |
| 访问时间 | - |
| 电压 - 供电 | 1.1V |
| 工作温度 | -40°C ~ 105°C（TC） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 200-WFBGA |
| 供应商器件封装 | 200-WFBGA（10x14.5） |
