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MT41K512M8V00HWC1-N001

制造商:Micron Technology Inc.

封装外壳:-

描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL

3333 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Micron Technology Inc.设计生产的MT41K512M8V00HWC1-N001,现有足量库存。MT41K512M8V00HWC1-N001的封装/规格参数为:-;同时斯普仑现货为您提供MT41K512M8V00HWC1-N001数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有MT41K512M8V00HWC1-N001的详细使用方法及教程。

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MT41K512M8V00HWC1-N001产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商 Micron Technology Inc.
制造商零件编号 MT41K512M8V00HWC1-N001
描述 IC DRAM 4GBIT PARALLEL
库存 3333
系列 -
包装 散装
存储器类型 易失
存储器格式 DRAM
技术 SDRAM - DDR3L
存储容量 4Gb(512M x 8)
存储器接口 并联
时钟频率 -
写周期时间 - 字,页 -
访问时间 -
电压 - 供电 1.283V ~ 1.45V
工作温度 0°C ~ 95°C(TC)
安装类型 -
封装/外壳 -
供应商器件封装 -

为智能时代加速到来而付出“真芯”