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制造商：Micron Technology Inc.
封装外壳：121-WFBGA
描述：IC FLASH RAM 1GBIT PAR 121VFBGA
斯普仑电子元件现货为您提供Micron Technology Inc.设计生产的MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H，现有足量库存。MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H的封装/规格参数为:121-WFBGA；同时斯普仑现货为您提供MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H的详细使用方法及教程。
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| MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商 | Micron Technology Inc. |
| 制造商零件编号 | MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H |
| 描述 | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 121VFBGA |
| 库存 | 8754 |
| 系列 | - |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | 非易失 |
| 存储器格式 | FLASH，RAM |
| 技术 | FLASH - NAND，DRAM - LPDDR2 |
| 存储容量 | 1Gb（128M x 8）（NAND），512M（32M x 16）（LPDDR2） |
| 存储器接口 | 并联 |
| 时钟频率 | 533 MHz |
| 写周期时间 - 字，页 | - |
| 访问时间 | - |
| 电压 - 供电 | 1.8V |
| 工作温度 | -25°C ~ 85°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 121-WFBGA |
| 供应商器件封装 | 121-VFBGA（8x7.5） |
