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制造商：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
封装外壳：66-TSSOP（szerokość 0，400"，10，16mm）
描述：IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
斯普仑电子元件现货为您提供ISSI, Integrated Silicon Solution Inc设计生产的IS43R83200F-6TLI，现有足量库存。IS43R83200F-6TLI的封装/规格参数为:66-TSSOP（szerokość 0，400"，10，16mm）；同时斯普仑现货为您提供IS43R83200F-6TLI数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IS43R83200F-6TLI的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供ISSI, Integrated Silicon Solution Inc设计生产的IS43R83200F-6TLI，现有足量库存。IS43R83200F-6TLI的封装/规格参数为:66-TSSOP（szerokość 0，400"，10，16mm）；同时斯普仑现货为您提供IS43R83200F-6TLI数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IS43R83200F-6TLI的详细使用方法及教程。
| IS43R83200F-6TLI产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| 制造商零件编号 | IS43R83200F-6TLI |
| 描述 | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II |
| 库存 | 8599 |
| 系列 | - |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | 易失 |
| 存储器格式 | DRAM |
| 技术 | SDRAM - DDR |
| 存储容量 | 256Mb（32M x 8） |
| 存储器接口 | 并联 |
| 时钟频率 | 166 MHz |
| 写周期时间 - 字，页 | 15ns |
| 访问时间 | 700 ps |
| 电压 - 供电 | 2.3V ~ 2.7V |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 66-TSSOP（szerokość 0，400"，10，16mm） |
| 供应商器件封装 | 66-TSOP II |
