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制造商：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
封装外壳：60-TFBGA
描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA
斯普仑电子元件现货为您提供ISSI, Integrated Silicon Solution Inc设计生产的IS43DR86400E-3DBLI，现有足量库存。IS43DR86400E-3DBLI的封装/规格参数为:60-TFBGA；同时斯普仑现货为您提供IS43DR86400E-3DBLI数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IS43DR86400E-3DBLI的详细使用方法及教程。
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| IS43DR86400E-3DBLI产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| 制造商零件编号 | IS43DR86400E-3DBLI |
| 描述 | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA |
| 库存 | 6287 |
| 系列 | - |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | 易失 |
| 存储器格式 | DRAM |
| 技术 | SDRAM - DDR2 |
| 存储容量 | 512Mb（64M x 8） |
| 存储器接口 | 并联 |
| 时钟频率 | 333 MHz |
| 写周期时间 - 字，页 | 15ns |
| 访问时间 | 450 ps |
| 电压 - 供电 | 1.7V ~ 1.9V |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 60-TFBGA |
| 供应商器件封装 | 60-TWBGA（8x10.5） |
