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AS4C8M16SA-6BINTR

制造商:Alliance Memory, Inc.

封装外壳:54-TFBGA

描述:IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA

3180 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Alliance Memory, Inc.设计生产的AS4C8M16SA-6BINTR,现有足量库存。AS4C8M16SA-6BINTR的封装/规格参数为:54-TFBGA;同时斯普仑现货为您提供AS4C8M16SA-6BINTR数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有AS4C8M16SA-6BINTR的详细使用方法及教程。

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AS4C8M16SA-6BINTR产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商 Alliance Memory, Inc.
制造商零件编号 AS4C8M16SA-6BINTR
描述 IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA
库存 3180
系列 -
包装 卷带(TR) , 剪切带(CT)
存储器类型 易失
存储器格式 DRAM
技术 SDRAM
存储容量 128Mb(8M x 16)
存储器接口 并联
时钟频率 166 MHz
写周期时间 - 字,页 12ns
访问时间 5 ns
电压 - 供电 3V ~ 3.6V
工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 54-TFBGA
供应商器件封装 54-TFBGA(8x8)

为智能时代加速到来而付出“真芯”