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G15

制造商:Goford Semiconductor

封装外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

描述:P-12V,RD(MAX)<21M@-4.5V,RD(MAX)<

3881 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Goford Semiconductor设计生产的G15,现有足量库存。G15的封装/规格参数为:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;同时斯普仑现货为您提供G15数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有G15的详细使用方法及教程。

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G15产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 G15
描述 P-12V,RD(MAX)<21M@-4.5V,RD(MAX)<
制造商 Goford Semiconductor
库存 3881
系列 -
包装 卷带(TR) , 剪切带(CT)
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 21 毫欧 @ 1A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 48 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2700 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23-3
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

为智能时代加速到来而付出“真芯”