PMT200EN,115规格参数_pmt200en,115现货热销【斯普仑】

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PMT200EN,115

制造商：NXP USA Inc.

封装外壳：TO-261-4，TO-261AA

描述：MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223

5723 现货

斯普仑电子元件现货为您提供NXP USA Inc.设计生产的PMT200EN,115，现有足量库存。PMT200EN,115的封装/规格参数为:TO-261-4，TO-261AA；同时斯普仑现货为您提供PMT200EN,115数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有PMT200EN,115的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

PMT200EN,115产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	PMT200EN,115
描述	MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223
制造商	NXP USA Inc.
库存	5723
系列	-
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	1.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	235 毫欧 @ 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	10 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	475 pF @ 80 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	800mW（Ta），8.3W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	SC-73
封装/外壳	TO-261-4，TO-261AA