BUK7Y25-80E/GFX规格参数_buk7y25-80e/gfx现货热销【斯普仑】

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BUK7Y25-80E/GFX

制造商：NXP USA Inc.

封装外壳：SC-100，SOT-669

描述：MOSFET N-CH 80V 39A LFPAK56

8586 现货

斯普仑电子元件现货为您提供NXP USA Inc.设计生产的BUK7Y25-80E/GFX，现有足量库存。BUK7Y25-80E/GFX的封装/规格参数为:SC-100，SOT-669；同时斯普仑现货为您提供BUK7Y25-80E/GFX数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有BUK7Y25-80E/GFX的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

BUK7Y25-80E/GFX产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	BUK7Y25-80E/GFX
描述	MOSFET N-CH 80V 39A LFPAK56
制造商	NXP USA Inc.
库存	8586
系列	TrenchMOS™
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	39A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	25 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	25.9 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1800 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	95W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	LFPAK56，Power-SO8
封装/外壳	SC-100，SOT-669