BUK9Y9R9-80E,115规格参数_buk9y9r9-80e,115现货热销【斯普仑】

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BUK9Y9R9-80E,115

制造商：NXP USA Inc.

封装外壳：SC-100，SOT-669

描述：MOSFET N-CH 80V LFPAK56 PWR-SO8

7292 现货

斯普仑电子元件现货为您提供NXP USA Inc.设计生产的BUK9Y9R9-80E,115，现有足量库存。BUK9Y9R9-80E,115的封装/规格参数为:SC-100，SOT-669；同时斯普仑现货为您提供BUK9Y9R9-80E,115数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有BUK9Y9R9-80E,115的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

BUK9Y9R9-80E,115产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	BUK9Y9R9-80E,115
描述	MOSFET N-CH 80V LFPAK56 PWR-SO8
制造商	NXP USA Inc.
库存	7292
系列	-
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	-
Vgs（最大值）	-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	-
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	-
工作温度	-
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	LFPAK56，Power-SO8
封装/外壳	SC-100，SOT-669