欢迎访问斯普仑网站

24小时电话: 0755-83299149 / 0755-83299149

BUK9E6R1-100E,127

制造商:NXP USA Inc.

封装外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

描述:MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK

1713 现货

斯普仑电子元件现货为您提供NXP USA Inc.设计生产的BUK9E6R1-100E,127,现有足量库存。BUK9E6R1-100E,127的封装/规格参数为:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA;同时斯普仑现货为您提供BUK9E6R1-100E,127数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有BUK9E6R1-100E,127的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供NXP USA Inc.设计生产的BUK9E6R1-100E,127,现有足量库存。BUK9E6R1-100E,127的封装/规格参数为:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA;同时斯普仑现货为您提供BUK9E6R1-100E,127数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有BUK9E6R1-100E,127的详细使用方法及教程。

BUK9E6R1-100E,127产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 BUK9E6R1-100E,127
描述 MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
制造商 NXP USA Inc.
库存 1713
系列 TrenchMOS™
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 5.9 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 133 nC @ 5 V
Vgs(最大值) ±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 17460 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 349W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 I2PAK
封装/外壳 TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

为智能时代加速到来而付出“真芯”