PHD18NQ10T,118规格参数_phd18nq10t,118现货热销【斯普仑】

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PHD18NQ10T,118

制造商：NXP USA Inc.

封装外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

描述：MOSFET N-CH 100V 18A DPAK

4719 现货

斯普仑电子元件现货为您提供NXP USA Inc.设计生产的PHD18NQ10T,118，现有足量库存。PHD18NQ10T,118的封装/规格参数为:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；同时斯普仑现货为您提供PHD18NQ10T,118数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有PHD18NQ10T,118的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

PHD18NQ10T,118产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	PHD18NQ10T,118
描述	MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
制造商	NXP USA Inc.
库存	4719
系列	TrenchMOS™
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	90 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	21 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	633 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	79W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	DPAK
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63