PH1825AL,115规格参数_ph1825al,115现货热销【斯普仑】

400-900-8690

PH1825AL,115

制造商：NXP USA Inc.

封装外壳：SC-100，SOT-669

描述：MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56

8176 现货

斯普仑电子元件现货为您提供NXP USA Inc.设计生产的PH1825AL,115，现有足量库存。PH1825AL,115的封装/规格参数为:SC-100，SOT-669；同时斯普仑现货为您提供PH1825AL,115数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有PH1825AL,115的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

PH1825AL,115产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	PH1825AL,115
描述	MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
制造商	NXP USA Inc.
库存	8176
系列	TrenchMOS™
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	1.8 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.15V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	31 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	4300 pF @ 12 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	104W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	LFPAK56，Power-SO8
封装/外壳	SC-100，SOT-669