PHT11N06LT,135规格参数_pht11n06lt,135现货热销【斯普仑】

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PHT11N06LT,135

制造商：NXP USA Inc.

封装外壳：TO-261-4，TO-261AA

描述：MOSFET N-CH 55V 4.9A SOT223

3213 现货

斯普仑电子元件现货为您提供NXP USA Inc.设计生产的PHT11N06LT,135，现有足量库存。PHT11N06LT,135的封装/规格参数为:TO-261-4，TO-261AA；同时斯普仑现货为您提供PHT11N06LT,135数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有PHT11N06LT,135的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

PHT11N06LT,135产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	PHT11N06LT,135
描述	MOSFET N-CH 55V 4.9A SOT223
制造商	NXP USA Inc.
库存	3213
系列	TrenchMOS™
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	4.9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	40 毫欧 @ 5A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	17 nC @ 5 V
Vgs（最大值）	±13V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1400 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.8W（Ta），8.3W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	SC-73
封装/外壳	TO-261-4，TO-261AA