PH16030L,115规格参数_ph16030l,115现货热销【斯普仑】

400-900-8690

PH16030L,115

制造商：NXP USA Inc.

封装外壳：SC-100，SOT-669

描述：MOSFET N-CH 30V 38A LFPAK56

2872 现货

斯普仑电子元件现货为您提供NXP USA Inc.设计生产的PH16030L,115，现有足量库存。PH16030L,115的封装/规格参数为:SC-100，SOT-669；同时斯普仑现货为您提供PH16030L,115数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有PH16030L,115的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

PH16030L,115产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	PH16030L,115
描述	MOSFET N-CH 30V 38A LFPAK56
制造商	NXP USA Inc.
库存	2872
系列	TrenchMOS™
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	38A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	16.9 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	8.2 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	680 pF @ 12 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	41.6W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	LFPAK56，Power-SO8
封装/外壳	SC-100，SOT-669