SI4420DY,518规格参数_si4420dy,518现货热销【斯普仑】

400-900-8690

SI4420DY,518

制造商：NXP USA Inc.

封装外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

描述：MOSFET N-CH 30V SOT96-1

8685 现货

斯普仑电子元件现货为您提供NXP USA Inc.设计生产的SI4420DY,518，现有足量库存。SI4420DY,518的封装/规格参数为:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；同时斯普仑现货为您提供SI4420DY,518数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有SI4420DY,518的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

SI4420DY,518产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	SI4420DY,518
描述	MOSFET N-CH 30V SOT96-1
制造商	NXP USA Inc.
库存	8685
系列	TrenchMOS™
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	12.5A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	9 毫欧 @ 12.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	120 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	-
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.5W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-SO
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）