PSMN009-100W,127规格参数_psmn009-100w,127现货热销【斯普仑】

400-900-8690

PSMN009-100W,127

制造商：NXP USA Inc.

封装外壳：TO-247-3

描述：MOSFET N-CH 100V 100A TO247-3

6659 现货

斯普仑电子元件现货为您提供NXP USA Inc.设计生产的PSMN009-100W,127，现有足量库存。PSMN009-100W,127的封装/规格参数为:TO-247-3；同时斯普仑现货为您提供PSMN009-100W,127数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有PSMN009-100W,127的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

PSMN009-100W,127产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	PSMN009-100W,127
描述	MOSFET N-CH 100V 100A TO247-3
制造商	NXP USA Inc.
库存	6659
系列	TrenchMOS™
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	9 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	214 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	9000 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	300W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-247
封装/外壳	TO-247-3