PMR780SN,115规格参数_pmr780sn,115现货热销【斯普仑】

400-900-8690

PMR780SN,115

制造商：NXP USA Inc.

封装外壳：SC-75，SOT-416

描述：MOSFET N-CH 60V 550MA SC75

1810 现货

斯普仑电子元件现货为您提供NXP USA Inc.设计生产的PMR780SN,115，现有足量库存。PMR780SN,115的封装/规格参数为:SC-75，SOT-416；同时斯普仑现货为您提供PMR780SN,115数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有PMR780SN,115的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

PMR780SN,115产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	PMR780SN,115
描述	MOSFET N-CH 60V 550MA SC75
制造商	NXP USA Inc.
库存	1810
系列	TrenchMOS™
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	550mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	920 毫欧 @ 300mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	1.05 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	23 pF @ 30 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	530mW（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	SC-75
封装/外壳	SC-75，SOT-416