PHB193NQ06T,118规格参数_phb193nq06t,118现货热销【斯普仑】

PHB193NQ06T,118

制造商：NXP USA Inc.

封装外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

描述：MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

9195 现货

斯普仑电子元件现货为您提供NXP USA Inc.设计生产的PHB193NQ06T,118，现有足量库存。PHB193NQ06T,118的封装/规格参数为:TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；同时斯普仑现货为您提供PHB193NQ06T,118数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有PHB193NQ06T,118的详细使用方法及教程。

PHB193NQ06T,118产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	PHB193NQ06T,118
描述	MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
制造商	NXP USA Inc.
库存	9195
系列	TrenchMOS™
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	4 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	85.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	5082 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	300W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	D2PAK
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

PHB193NQ06T,118

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