IRLML6401TRPBF-1规格参数_irlml6401trpbf-1现货热销【斯普仑】

400-900-8690

IRLML6401TRPBF-1

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

描述：MOSFET

4286 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IRLML6401TRPBF-1，现有足量库存。IRLML6401TRPBF-1的封装/规格参数为:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；同时斯普仑现货为您提供IRLML6401TRPBF-1数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRLML6401TRPBF-1的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

IRLML6401TRPBF-1产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IRLML6401TRPBF-1
描述	MOSFET
制造商	Infineon Technologies
库存	4286
系列	HEXFET®
包装	散装
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	4.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	50 毫欧 @ 4.3A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	0.95V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	15 nC @ 5 V
Vgs（最大值）	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	830 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.3W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-SOT23-3-901
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3