FQP50N06L-EPKE0003规格参数_fqp50n06l-epke0003现货热销【斯普仑】

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FQP50N06L-EPKE0003

制造商：onsemi

封装外壳：TO-220-3

描述：MOSFET N-CH 60V 65A TO220-3

7133 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的FQP50N06L-EPKE0003，现有足量库存。FQP50N06L-EPKE0003的封装/规格参数为:TO-220-3；同时斯普仑现货为您提供FQP50N06L-EPKE0003数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有FQP50N06L-EPKE0003的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

FQP50N06L-EPKE0003产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	FQP50N06L-EPKE0003
描述	MOSFET N-CH 60V 65A TO220-3
制造商	onsemi
库存	7133
系列	QFET®
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	52.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	21 毫欧 @ 26.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	32 nC @ 5 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1630 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	121W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-220-3
封装/外壳	TO-220-3