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NTMFS4931NT1G-IRH1

制造商:onsemi

封装外壳:8-PowerTDFN,5 引线

描述:NTMFS4931NT1G-IRH1

3291 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NTMFS4931NT1G-IRH1,现有足量库存。NTMFS4931NT1G-IRH1的封装/规格参数为:8-PowerTDFN,5 引线;同时斯普仑现货为您提供NTMFS4931NT1G-IRH1数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有NTMFS4931NT1G-IRH1的详细使用方法及教程。

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NTMFS4931NT1G-IRH1产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 NTMFS4931NT1G-IRH1
描述 NTMFS4931NT1G-IRH1
制造商 onsemi
库存 3291
系列 -
包装 散装
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 23A(Ta),246A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.1 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 128 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 9821 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 950mW(Ta),104W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
封装/外壳 8-PowerTDFN,5 引线

为智能时代加速到来而付出“真芯”