FQPF7N65CYDTU-T规格参数_fqpf7n65cydtu-t现货热销【斯普仑】

400-900-8690

FQPF7N65CYDTU-T

制造商：onsemi

封装外壳：TO-220-3 全封装，成形引线

描述：FQPF7N65CYDTU-T

2151 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的FQPF7N65CYDTU-T，现有足量库存。FQPF7N65CYDTU-T的封装/规格参数为:TO-220-3 全封装，成形引线；同时斯普仑现货为您提供FQPF7N65CYDTU-T数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有FQPF7N65CYDTU-T的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

FQPF7N65CYDTU-T产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	FQPF7N65CYDTU-T
描述	FQPF7N65CYDTU-T
制造商	onsemi
库存	2151
系列	QFET®
包装	散装
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	7A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	1.4 欧姆 @ 3.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	36 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1245 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	52W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-220F-3（Y 型）
封装/外壳	TO-220-3 全封装，成形引线