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ZVN2110W

制造商:Diodes Incorporated

封装外壳:-

描述:MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3

6912 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的ZVN2110W,现有足量库存。ZVN2110W的封装/规格参数为:-;同时斯普仑现货为您提供ZVN2110W数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有ZVN2110W的详细使用方法及教程。

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ZVN2110W产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 ZVN2110W
描述 MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3
制造商 Diodes Incorporated
库存 6912
系列 -
包装 散装
FET 类型 -
技术 -
漏源电压(Vdss) -
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) -
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) -
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) -
Vgs(最大值) -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) -
FET 功能 -
功率耗散(最大值) -
工作温度 -
安装类型 -
供应商器件封装 -
封装/外壳 -

为智能时代加速到来而付出“真芯”