PJQ1906_R1_00001规格参数_pjq1906_r1_00001现货热销【斯普仑】

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PJQ1906_R1_00001

制造商：Panjit International Inc.

封装外壳：3-UFDFN

描述：MOSFET N-CH 30V 300MA DFN-3L

4358 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Panjit International Inc.设计生产的PJQ1906_R1_00001，现有足量库存。PJQ1906_R1_00001的封装/规格参数为:3-UFDFN；同时斯普仑现货为您提供PJQ1906_R1_00001数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有PJQ1906_R1_00001的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

PJQ1906_R1_00001产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	PJQ1906_R1_00001
描述	MOSFET N-CH 30V 300MA DFN-3L
制造商	Panjit International Inc.
库存	4358
系列	-
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	300mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.2V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	1.2 欧姆 @ 300mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	-
Vgs（最大值）	±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	45 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	700mW（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	3-DFN（1x0.6）
封装/外壳	3-UFDFN