FDMT800100DC-22897规格参数_fdmt800100dc-22897现货热销【斯普仑】

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FDMT800100DC-22897

制造商：onsemi

封装外壳：8-PowerVDFN

描述：FET 100V 2.95 MOHM PQFN88

6028 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的FDMT800100DC-22897，现有足量库存。FDMT800100DC-22897的封装/规格参数为:8-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供FDMT800100DC-22897数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有FDMT800100DC-22897的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

FDMT800100DC-22897产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	FDMT800100DC-22897
描述	FET 100V 2.95 MOHM PQFN88
制造商	onsemi
库存	6028
系列	PowerTrench®
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	24A（Ta），162A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	2.95 毫欧 @ 24A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	111 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	7835 pF @ 50 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	3.2W（Ta），156W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-Dual Cool™88
封装/外壳	8-PowerVDFN