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制造商：Microchip Technology
封装外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
描述：MOSFET SIC 1200 V 80 MOHM TO-263
斯普仑电子元件现货为您提供Microchip Technology设计生产的MSC080SMA120SA，现有足量库存。MSC080SMA120SA的封装/规格参数为:TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA；同时斯普仑现货为您提供MSC080SMA120SA数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有MSC080SMA120SA的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供Microchip Technology设计生产的MSC080SMA120SA，现有足量库存。MSC080SMA120SA的封装/规格参数为:TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA；同时斯普仑现货为您提供MSC080SMA120SA数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有MSC080SMA120SA的详细使用方法及教程。
| MSC080SMA120SA产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | MSC080SMA120SA |
| 描述 | MOSFET SIC 1200 V 80 MOHM TO-263 |
| 制造商 | Microchip Technology |
| 库存 | 4565 |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | SiCFET（碳化硅） |
| 漏源电压（Vdss） | 1200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 35A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 20V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 100 毫欧 @ 15A，20V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 64 nC @ 20 V |
| Vgs（最大值） | +23V，-10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 838 pF @ 1000 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 182W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-268 |
| 封装/外壳 | TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA |
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