CMS30N10V8-HF规格参数_cms30n10v8-hf现货热销【斯普仑】

400-900-8690

CMS30N10V8-HF

制造商：Comchip Technology

封装外壳：8-PowerWDFN

描述：MOSFET N-CH 100V 8PDFN

9001 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Comchip Technology设计生产的CMS30N10V8-HF，现有足量库存。CMS30N10V8-HF的封装/规格参数为:8-PowerWDFN；同时斯普仑现货为您提供CMS30N10V8-HF数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有CMS30N10V8-HF的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

CMS30N10V8-HF产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	CMS30N10V8-HF
描述	MOSFET N-CH 100V 8PDFN
制造商	Comchip Technology
库存	9001
系列	-
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	24 毫欧 @ 10V，10A
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	34 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1325 pF @ 30 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.1W（Ta），31.3W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-PDFN（SPR-PAK ）（3.3x3.3）
封装/外壳	8-PowerWDFN