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FDC638P-P

制造商：onsemi

封装外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

描述：MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6

1382 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的FDC638P-P，现有足量库存。FDC638P-P的封装/规格参数为:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6；同时斯普仑现货为您提供FDC638P-P数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有FDC638P-P的详细使用方法及教程。

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FDC638P-P产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 FDC638P-P
描述 MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6
制造商 onsemi
库存 1382
系列 PowerTrench®
包装 卷带（TR）
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 48 毫欧 @ 4.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 14 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值） ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1160 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SuperSOT™-6
封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

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