FDMC5614P-L701规格参数_fdmc5614p-l701现货热销【斯普仑】

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FDMC5614P-L701

制造商：onsemi

封装外壳：8-PowerWDFN

描述：MOSFET P-CH 60V 8MLP

9971 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的FDMC5614P-L701，现有足量库存。FDMC5614P-L701的封装/规格参数为:8-PowerWDFN；同时斯普仑现货为您提供FDMC5614P-L701数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有FDMC5614P-L701的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

FDMC5614P-L701产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	FDMC5614P-L701
描述	MOSFET P-CH 60V 8MLP
制造商	onsemi
库存	9971
系列	PowerTrench®
包装	卷带（TR）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	5.7A（Ta），13.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	100 毫欧 @ 5.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	20 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1055 pF @ 30 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.1W（Ta），42W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-WDFN（3.3x3.3）
封装/外壳	8-PowerWDFN