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FDC5614P-G

制造商：onsemi

封装外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

描述：MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6

7312 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的FDC5614P-G，现有足量库存。FDC5614P-G的封装/规格参数为:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6；同时斯普仑现货为您提供FDC5614P-G数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有FDC5614P-G的详细使用方法及教程。

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FDC5614P-G产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 FDC5614P-G
描述 MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6
制造商 onsemi
库存 7312
系列 PowerTrench®
包装 卷带（TR）
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 105 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 24 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 759 pF @ 30 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 800mW（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SuperSOT™-6
封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

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