FDMS86163P-23507X规格参数_fdms86163p-23507x现货热销【斯普仑】

400-900-8690

FDMS86163P-23507X

制造商：onsemi

封装外壳：8-PowerTDFN

描述：FET -100V 22.0 MOHM PQFN56

5085 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的FDMS86163P-23507X，现有足量库存。FDMS86163P-23507X的封装/规格参数为:8-PowerTDFN；同时斯普仑现货为您提供FDMS86163P-23507X数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有FDMS86163P-23507X的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

FDMS86163P-23507X产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	FDMS86163P-23507X
描述	FET -100V 22.0 MOHM PQFN56
制造商	onsemi
库存	5085
系列	PowerTrench®
包装	卷带（TR）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	7.9A（Ta），50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	22 毫欧 @ 7.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	59 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	4085 pF @ 50 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.5W（Ta），104W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-PQFN（5x6）
封装/外壳	8-PowerTDFN