FDN5618P-B8规格参数_fdn5618p-b8现货热销【斯普仑】

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FDN5618P-B8

制造商：onsemi

封装外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

描述：FET -60V 1.7 MOHM SSOT3

7601 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的FDN5618P-B8，现有足量库存。FDN5618P-B8的封装/规格参数为:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；同时斯普仑现货为您提供FDN5618P-B8数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有FDN5618P-B8的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

FDN5618P-B8产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	FDN5618P-B8
描述	FET -60V 1.7 MOHM SSOT3
制造商	onsemi
库存	7601
系列	PowerTrench®
包装	卷带（TR）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	1.25A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	170 毫欧 @ 1.25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	13.8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	430 pF @ 30 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	460mW（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	SuperSOT™-3
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3