NTMFSC1D9N06HL规格参数_ntmfsc1d9n06hl现货热销【斯普仑】

400-900-8690

NTMFSC1D9N06HL

制造商：onsemi

封装外壳：8-PowerVDFN

描述：T8 60V LOW COSS DFN8 5X6 DUAL CO

1070 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NTMFSC1D9N06HL，现有足量库存。NTMFSC1D9N06HL的封装/规格参数为:8-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供NTMFSC1D9N06HL数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NTMFSC1D9N06HL的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

NTMFSC1D9N06HL产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	NTMFSC1D9N06HL
描述	T8 60V LOW COSS DFN8 5X6 DUAL CO
制造商	onsemi
库存	1070
系列	-
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	30A（Ta），199A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	1.9 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	64 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	4910 pF @ 30 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	3.8W（Ta），166W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-DFN（5x6.15）
封装/外壳	8-PowerVDFN