NTMJS0D9N03CGTWG规格参数_ntmjs0d9n03cgtwg现货热销【斯普仑】

400-900-8690

NTMJS0D9N03CGTWG

制造商：onsemi

封装外壳：SOT-1205，8-LFPAK56

描述：MOSFET N-CH 30V LFPAK8

2057 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NTMJS0D9N03CGTWG，现有足量库存。NTMJS0D9N03CGTWG的封装/规格参数为:SOT-1205，8-LFPAK56；同时斯普仑现货为您提供NTMJS0D9N03CGTWG数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NTMJS0D9N03CGTWG的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

NTMJS0D9N03CGTWG产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	NTMJS0D9N03CGTWG
描述	MOSFET N-CH 30V LFPAK8
制造商	onsemi
库存	2057
系列	-
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	50A（Ta），315A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	0.9 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.2V @ 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	131.4 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	9550 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	3.9W（Ta），150W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-LFPAK
封装/外壳	SOT-1205，8-LFPAK56