欢迎访问斯普仑网站

24小时电话: 0755-83299149 / 0755-83299149

PJW1NA60B_R2_00001

制造商:Panjit International Inc.

封装外壳:TO-261-4,TO-261AA

描述:600V N-CHANNEL MOSFET

5611 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Panjit International Inc.设计生产的PJW1NA60B_R2_00001,现有足量库存。PJW1NA60B_R2_00001的封装/规格参数为:TO-261-4,TO-261AA;同时斯普仑现货为您提供PJW1NA60B_R2_00001数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有PJW1NA60B_R2_00001的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供Panjit International Inc.设计生产的PJW1NA60B_R2_00001,现有足量库存。PJW1NA60B_R2_00001的封装/规格参数为:TO-261-4,TO-261AA;同时斯普仑现货为您提供PJW1NA60B_R2_00001数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有PJW1NA60B_R2_00001的详细使用方法及教程。

PJW1NA60B_R2_00001产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 PJW1NA60B_R2_00001
描述 600V N-CHANNEL MOSFET
制造商 Panjit International Inc.
库存 5611
系列 -
包装 卷带(TR) , 剪切带(CT)
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 400mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 10 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 6.1 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 210 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.3W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-223
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA

为智能时代加速到来而付出“真芯”