PJP2NA1K_T0_00001规格参数_pjp2na1k_t0_00001现货热销【斯普仑】

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PJP2NA1K_T0_00001

制造商：Panjit International Inc.

封装外壳：TO-220-3

描述：1000V N-CHANNEL MOSFET

5705 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Panjit International Inc.设计生产的PJP2NA1K_T0_00001，现有足量库存。PJP2NA1K_T0_00001的封装/规格参数为:TO-220-3；同时斯普仑现货为您提供PJP2NA1K_T0_00001数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有PJP2NA1K_T0_00001的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

PJP2NA1K_T0_00001产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	PJP2NA1K_T0_00001
描述	1000V N-CHANNEL MOSFET
制造商	Panjit International Inc.
库存	5705
系列	-
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	9 欧姆 @ 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	14 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	385 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	80W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-220AB
封装/外壳	TO-220-3