IAUS300N04S4N007ATMA1规格参数_iaus300n04s4n007atma1现货热销【斯普仑】

400-900-8690

IAUS300N04S4N007ATMA1

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：8-PowerSFN

描述：MOSFET_(20V 40V) PG-HSOG-8

8863 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IAUS300N04S4N007ATMA1，现有足量库存。IAUS300N04S4N007ATMA1的封装/规格参数为:8-PowerSFN；同时斯普仑现货为您提供IAUS300N04S4N007ATMA1数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IAUS300N04S4N007ATMA1的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

IAUS300N04S4N007ATMA1产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IAUS300N04S4N007ATMA1
描述	MOSFET_(20V 40V) PG-HSOG-8
制造商	Infineon Technologies
库存	8863
系列	OptiMOS™
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	300A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	740 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 275µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	342 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	27356 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	375W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-HSOG-8-1
封装/外壳	8-PowerSFN