IPT039N15N5XTMA1规格参数_ipt039n15n5xtma1现货热销【斯普仑】

400-900-8690

IPT039N15N5XTMA1

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：8-PowerSFN

描述：TRENCH >=100V PG-HSOF-8

8720 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IPT039N15N5XTMA1，现有足量库存。IPT039N15N5XTMA1的封装/规格参数为:8-PowerSFN；同时斯普仑现货为您提供IPT039N15N5XTMA1数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IPT039N15N5XTMA1的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

IPT039N15N5XTMA1产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IPT039N15N5XTMA1
描述	TRENCH >=100V PG-HSOF-8
制造商	Infineon Technologies
库存	8720
系列	OptiMOS™
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	190A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	3.9 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4.6V @ 257µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	98 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	7700 pF @ 75 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	319W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-HSOF-8
封装/外壳	8-PowerSFN