NTMFS005P03P8ZT1G规格参数_ntmfs005p03p8zt1g现货热销【斯普仑】

400-900-8690

NTMFS005P03P8ZT1G

制造商：onsemi

封装外壳：8-PowerTDFN，5 引线

描述：MOSFET P-CH

6321 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NTMFS005P03P8ZT1G，现有足量库存。NTMFS005P03P8ZT1G的封装/规格参数为:8-PowerTDFN，5 引线；同时斯普仑现货为您提供NTMFS005P03P8ZT1G数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NTMFS005P03P8ZT1G的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

NTMFS005P03P8ZT1G产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	NTMFS005P03P8ZT1G
描述	MOSFET P-CH
制造商	onsemi
库存	6321
系列	-
包装	卷带（TR）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	15.3A（Ta），164A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	2.7 毫欧 @ 22A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	112 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	7880 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	900mW（Ta），104W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳	8-PowerTDFN，5 引线