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制造商：Infineon Technologies
封装外壳：20-PowerSOIC（0.433"，11.00mm 宽）
描述：GAN HV
斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IGO60R070D1E8220AUMA1，现有足量库存。IGO60R070D1E8220AUMA1的封装/规格参数为:20-PowerSOIC（0.433"，11.00mm 宽）；同时斯普仑现货为您提供IGO60R070D1E8220AUMA1数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IGO60R070D1E8220AUMA1的详细使用方法及教程。
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| IGO60R070D1E8220AUMA1产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | IGO60R070D1E8220AUMA1 |
| 描述 | GAN HV |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 库存 | 6531 |
| 系列 | CoolGaN™ |
| 包装 | 散装 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | GaNFET（氮化镓） |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 31A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | - |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1，6V @ 2，6mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | - |
| Vgs（最大值） | -10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 380 pF @ 400 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 125W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PG-DSO-20-85 |
| 封装/外壳 | 20-PowerSOIC（0.433"，11.00mm 宽） |
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