NVMFS5C645NT1G规格参数_nvmfs5c645nt1g现货热销【斯普仑】

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NVMFS5C645NT1G

制造商：onsemi

封装外壳：8-PowerTDFN，5 引线

描述：MOSFET N-CH 60V 92A 5DFN

6957 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NVMFS5C645NT1G，现有足量库存。NVMFS5C645NT1G的封装/规格参数为:8-PowerTDFN，5 引线；同时斯普仑现货为您提供NVMFS5C645NT1G数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NVMFS5C645NT1G的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

NVMFS5C645NT1G产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	NVMFS5C645NT1G
描述	MOSFET N-CH 60V 92A 5DFN
制造商	onsemi
库存	6957
系列	Automotive, AEC-Q101
包装	卷带（TR） , 卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	20A（Ta），92A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	4.6 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	20.4 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1500 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	3.7W（Ta），79W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳	8-PowerTDFN，5 引线