CP375-CWDM3011N-CT规格参数_cp375-cwdm3011n-ct现货热销【斯普仑】

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CP375-CWDM3011N-CT

制造商：Central Semiconductor Corp

封装外壳：模具

描述：MOSFET N-CH 11A 30V BARE DIE

1960 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Central Semiconductor Corp设计生产的CP375-CWDM3011N-CT，现有足量库存。CP375-CWDM3011N-CT的封装/规格参数为:模具；同时斯普仑现货为您提供CP375-CWDM3011N-CT数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有CP375-CWDM3011N-CT的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

CP375-CWDM3011N-CT产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	CP375-CWDM3011N-CT
描述	MOSFET N-CH 11A 30V BARE DIE
制造商	Central Semiconductor Corp
库存	1960
系列	-
包装	托盘
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	11A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	20 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	6.3 nC @ 5 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	860 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.5W
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	模具
封装/外壳	模具