CDM2206-800LR规格参数_cdm2206-800lr现货热销【斯普仑】

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CDM2206-800LR

制造商：Central Semiconductor Corp

封装外壳：TO-220-3

描述：MOSFET N-CH 800V 6A TO220

5826 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Central Semiconductor Corp设计生产的CDM2206-800LR，现有足量库存。CDM2206-800LR的封装/规格参数为:TO-220-3；同时斯普仑现货为您提供CDM2206-800LR数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有CDM2206-800LR的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

CDM2206-800LR产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	CDM2206-800LR
描述	MOSFET N-CH 800V 6A TO220
制造商	Central Semiconductor Corp
库存	5826
系列	-
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	950 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	24.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	474.7 pF @ 100 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	110W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-220-3
封装/外壳	TO-220-3