欢迎访问斯普仑网站
24小时电话: 0755-83299149 / 0755-83299149
制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
封装外壳：TO-3P-3，SC-65-3
描述：MOSFET N-CH 600V 11.5A TO3P
斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TK12J60W,S1VE(S，现有足量库存。TK12J60W,S1VE(S的封装/规格参数为:TO-3P-3，SC-65-3；同时斯普仑现货为您提供TK12J60W,S1VE(S数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TK12J60W,S1VE(S的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TK12J60W,S1VE(S，现有足量库存。TK12J60W,S1VE(S的封装/规格参数为:TO-3P-3，SC-65-3；同时斯普仑现货为您提供TK12J60W,S1VE(S数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TK12J60W,S1VE(S的详细使用方法及教程。
| TK12J60W,S1VE(S产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | TK12J60W,S1VE(S |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 11.5A TO3P |
| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 库存 | 1617 |
| 系列 | - |
| 包装 | 托盘 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11.5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 300 毫欧 @ 5.8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.7V @ 600µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 25 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 890 pF @ 300 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 110W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-3P（N） |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
_SOT226%20Pkg.jpg)
