TK40J20D,S1F(O规格参数_tk40j20d,s1f(o现货热销【斯普仑】

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TK40J20D,S1F(O

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

封装外壳：TO-3P-3，SC-65-3

描述：MOSFET N-CH 200V 40A TO3P

3311 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TK40J20D,S1F(O，现有足量库存。TK40J20D,S1F(O的封装/规格参数为:TO-3P-3，SC-65-3；同时斯普仑现货为您提供TK40J20D,S1F(O数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TK40J20D,S1F(O的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

TK40J20D,S1F(O产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	TK40J20D,S1F(O
描述	MOSFET N-CH 200V 40A TO3P
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
库存	3311
系列	π-MOSVIII
包装	托盘
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	40A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	44 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	100 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	4300 pF @ 100 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	260W（Tc）
工作温度	150°C
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-3P（N）
封装/外壳	TO-3P-3，SC-65-3