TPCC8104,L1Q(CM规格参数_tpcc8104,l1q(cm现货热销【斯普仑】

400-900-8690

TPCC8104,L1Q(CM

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

封装外壳：8-PowerVDFN

描述：MOSFET P-CH 30V 20A 8TSON

5001 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TPCC8104,L1Q(CM，现有足量库存。TPCC8104,L1Q(CM的封装/规格参数为:8-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供TPCC8104,L1Q(CM数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TPCC8104,L1Q(CM的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

TPCC8104,L1Q(CM产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	TPCC8104,L1Q(CM
描述	MOSFET P-CH 30V 20A 8TSON
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
库存	5001
系列	U-MOSVI
包装	卷带（TR）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	20A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	8.8 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2V @ 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	58 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	+20V，-25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2260 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	700mW（Ta），27W（Tc）
工作温度	150°C
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-TSON Advance（3.1x3.1）
封装/外壳	8-PowerVDFN