TN2130K1-G-VAO规格参数_tn2130k1-g-vao现货热销【斯普仑】

400-900-8690

TN2130K1-G-VAO

制造商：Microchip Technology

封装外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

描述：MOSFET N-CH 300V 85MA SOT23-3

9952 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Microchip Technology设计生产的TN2130K1-G-VAO，现有足量库存。TN2130K1-G-VAO的封装/规格参数为:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；同时斯普仑现货为您提供TN2130K1-G-VAO数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TN2130K1-G-VAO的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

TN2130K1-G-VAO产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	TN2130K1-G-VAO
描述	MOSFET N-CH 300V 85MA SOT23-3
制造商	Microchip Technology
库存	9952
系列	-
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	85mA（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	25 欧姆 @ 120mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	-
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	50 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	360mW（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TA）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	SOT-23-3
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3